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半導体・電子部品 2026年更新

半導体故障解析受託サービス一覧

FIB-SEM、TEM、エミッション解析などの高度な装置を駆使し、デバイスの故障原因を特定する専門ラボ。設計へ確実にフィードバックし信頼性を向上させます。

収録データ項目

企業名
主要解析手法
対応デバイス
所在地
受託範囲
装置保有
顧客分野
納期目安
実績年数

データプレビュー

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企業名主要解析手法対応デバイス所在地
東芝ナノアナリシス株式会社エミッション解析・OBIRCH・FIB-SEM・TEM半導体・パワーデバイス・電子部品神奈川県川崎市
株式会社クオルテックプラズマFIB・SiC-MOSFET発熱解析・信頼性試験パワー半導体・SiC・GaN・化合物半導体東京都
ユーロフィンFQL株式会社FIB断面観察・SEM-EDX・TEM・XPS・AES電子部品・電子機器全般神奈川県川崎市
株式会社アイテスCrossBeam FIB・Slice&View 3D解析・TEM試料作製半導体・パワーデバイス・液晶パネルTFT神奈川県厚木市
iST (Integrated Service Technology)FIB回路編集・IC故障解析・品質保証分析IC・電子製品全般台湾・アジア複数拠点

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半導体故障解析受託サービスの選定ポイント

市場返却品の故障モードを特定し、設計や製造プロセスへフィードバックすることは、半導体製品の信頼性向上において最も重要な工程のひとつです。しかし、FIB-SEM、TEM、エミッション顕微鏡といった高額な解析装置を社内で維持・運用するには、設備投資だけでなく専門オペレータの確保と技術継承が大きな課題となります。

専門ラボへの受託により、自社では保有困難な最新装置(プラズマFIB、ロックイン発熱解析、ナノプローブ等)と、長年の解析実績に基づく高度なノウハウへ即座にアクセスできます。特に、パワーデバイスやSiC/GaN化合物半導体のように、新材料・新構造のデバイスでは、過去事例の蓄積が解析成功率を大きく左右します。

受託先を選定する際は、対応可能な解析手法の幅(電気特性測定→非破壊検査→物理解析の一貫性)、装置の最新性(特にFIBの加工精度やSEMの分解能)、ターンアラウンドタイム(初報3日以内、最終報告10日以内等)、専門分野の一致(車載、産業機器、民生等)を確認することが推奨されます。日本国内では東芝グループ、パナソニック、クオルテック、アイテスなどが代表的であり、台湾のiSTやMSScorpsといったアジア圏の大手ラボも、AI半導体需要の拡大を背景にグローバル顧客基盤を拡大しています。

解析結果は単なるレポートに留まらず、設計へのアクションアイテムとして機能することが重要です。ラボ側が設計・製造プロセスへの深い理解を持つかどうかが、真の価値を生む分水嶺となります。

よくある質問

Q.故障解析の一般的なターンアラウンドタイムはどれくらいですか?

初報(故障箇所の特定や電気特性データ)は通常3日以内、最終報告書(物理解析結果と原因推定)は10日以内が標準的です。緊急対応が必要な場合は事前相談により短縮可能なラボもあります。

Q.パワー半導体(SiC、GaN)の解析実績があるラボはどう見分けますか?

Webサイトの事例紹介や技術資料で、SiC-MOSFET、GaN-HEMTといったデバイス固有の記載があるか確認してください。また、ロックイン発熱解析やプラズマFIB保有の記載があれば、化合物半導体への対応力が高いと判断できます。

Q.データの鮮度はどのように保たれますか?

このデータセットはリクエスト時にAIがWebをクロールして最新の企業情報・装置保有状況・対応分野を取得します。M&Aや拠点移転、新規装置導入といった情報も反映されます。

Q.海外ラボと国内ラボの違いは何ですか?

台湾や米国のラボは最先端AI半導体やHPC向けデバイスの解析実績が豊富で、グローバル顧客対応に慣れています。一方、国内ラボは車載・産業機器といった日本企業の主力分野での深い知見と、日本語での詳細な技術ディスカッションが強みです。